11月30日，三星Samsung 公司發(fā)布公告，針對設(shè)備端本地運行 AI 的需求，特別研發(fā)了 LLW（Low Latency Wide IO）DRAM，其性能優(yōu)于現(xiàn)有的 LPDDR 解決方案。LLW DRAM 通過垂直集成存儲器和邏輯電路，從而實現(xiàn)更高的效率和延遲。
三星Samsung 半導(dǎo)體今天通過官方 X 平臺賬號，發(fā)布了一段關(guān)于 LLW DRAM 的介紹視頻，該 DRAM 刻適用于智能手機、筆記本電腦和 VR 頭顯。三星在今年年初的 Tech Day 上首次展示了 LLW DRAM，然后在 Memory Tech Day 上再次展示了其 LPDDR5X CAMM2 解決方案。
除此之外，該視頻還展示了一款集成了 LLW DRAM 的手機，因此，未來的 Galaxy 設(shè)備似乎可能會采用相同的解決方案，從而提高性能。
廣告中展示的手機確實與當(dāng)前一代三星Samsung 設(shè)備非常相似，應(yīng)該是即將推出的 Galaxy S24 系列，IT之家附上視頻中的手機截圖如下：三星Samsung 也不是第一家實施 LLW 的公司，蘋果的 Vision Pro 頭顯使用扇出晶圓級封裝（FOWLP），將 R1 芯片與 LLW DRAM 封裝在一起。
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