據(jù)海外媒體報(bào)道，蘋(píng)果M3 Ultra新品會(huì)在今年年中登場(chǎng)，該芯片是首次采用臺(tái)積電的N3E工藝節(jié)點(diǎn)。目前來(lái)看，已經(jīng)上市的M3、M3 Pro和M3 Max等芯片采用臺(tái)積電N3B工藝，而A17 Pro則也是采用N3B工藝。
資料顯示，臺(tái)積電規(guī)劃了多達(dá)五種3nm工藝，分別是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其首個(gè)3nm節(jié)點(diǎn)，已經(jīng)量產(chǎn)，N3E是N3B的增強(qiáng)版，但從臺(tái)積電已經(jīng)披露的技術(shù)資料來(lái)看，柵極間距并不如N3B。
不僅如此，第一代3nm N3B成本高、良率低，只有70%-80%之間，這意味著芯片制造過(guò)程中有至少20%的產(chǎn)品存在缺陷，而N3E良率高、成本低，性能會(huì)略低于N3B。
業(yè)內(nèi)人士指出，臺(tái)積電N3B的良率和金屬堆疊性能很差，基于這些原因，N3B不會(huì)成為臺(tái)積電的主要節(jié)點(diǎn)，相比之下，N3E將使用更少的EUV光刻層，從25層縮減到21層，投產(chǎn)難度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶體管密度會(huì)降低。
從以上來(lái)看，這可顆蘋(píng)果M3 Ultra芯片可能會(huì)成為蘋(píng)果史上最強(qiáng)的3nm芯片，它將在蘋(píng)果Mac Studio上搭載，讓我們敬請(qǐng)期待。
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